本期Insider：Galaxy S23 FE將獲得超頻的Exynos 2200；在 Android 14 中，熱鍵的數(shù)量將增加一倍；realme 即將推出的旗艦將配備 Snapdragon 8 Gen 2。

Galaxy S23 FE 將獲得超頻的 Exynos 2200

Insider @RGcloudS 報道稱，尚未透露的 Galaxy S23 FE 將配備超頻的 Exynos 2200 處理器。盡管名稱與 S22 系列所使用的芯片相同，但處理器本身會略有不同。為了解釋差異，內部人士引用了三星和高通生產的數(shù)據。 

2022 年，在 Exynos 2200 的生產中，4LPE（4 納米）和 4LPX（5 納米）技術工藝中加工“硅”的百分比為 20%，在 8 Gen 1 的生產中為 35%?，F(xiàn)在，據知情人透露，4nm工藝有了明顯的提升，今年的Exynos 2200性能優(yōu)于驍龍8 Gen 1，與驍龍8+ Gen 1“差不多”。

S23 FE的發(fā)布日期尚未公布，但根據初步信息，該智能手機將于8月開始量產。

Android 14 的鍵盤快捷鍵數(shù)量將增加一倍

Insider Mishal Rahman 在最新的 Android 14 Beta 中發(fā)現(xiàn)了新的鍵盤快捷鍵。連接物理鍵盤后，它們將在大屏幕設備上可用。在智能手機上（或激活適當?shù)?dpi 后），熱鍵“少得多”。內部人士總共發(fā)現(xiàn)了 29 種組合，而在第 13 版中有 13 種組合。

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智能手機上的組合

realme 即將推出的旗艦將配備 Snapdragon 8 Gen 2

Insider Digital Chat Station 談到了未來 realme 旗艦智能手機的特點，但沒有提到它的名字。也許，我們正在談論 GT Neo6 (GT 4)。如果是這樣，那么新穎性將配備一個未知尺寸的 OLED 矩陣，分辨率為 1.5K +，刷新率為 144 Hz。在這種情況下，PWM 值將為 2160 Hz。

realme GT Neo5 (GT3)

配備 LPDDR5x RAM 的 Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 將負責性能。我們還了解 UFS 4.0 內存、100 瓦充電和超薄顯示屏邊框。早些時候，網絡上出現(xiàn)的信息表明，智能手機將配備一個帶 OIS 的 50 兆像素攝像頭。

發(fā)布日期仍然未知。